Условные Обозначения Контроллера

Условные обозначения транзисторов в СССРКонструкции самых распространенных видов транзисторов показаны на рис. Конструкции корпусов транзисторов: а - МП9, МП1. МП3. 5, МП3. 8, МП1. МП1. 13, б - КТ3. КТ5. 02, КТ5. 03, в - ГТ4. КТ3. 15, КТ3. 61, д - КТ6. КТ6. 02, КТ8. 07, е - КТ8.

КТ8. 14: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер. Основные параметры, характеризующие свойства транзисторов, приведены ниже: материал (германий или кремний),тип транзистора (p- n- p или n- p- n),статический коэффициент усиления по току,максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе. По этому параметру все транзисторы делятся на маломощные (Р . ВЧ (рис. 1, б); 4 - низкочастотные транзисторы средней мощности рис. СВЧ. Четвертый элемент (цифра) — порядковый номер разработки транзистор.

Пятый элемент (буква) условно определяет классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии. Для обозначения порядкового номера разработки используют числа от 0. В качестве классификационной литеры используйте буквы русского алфавита от А до Я, за исключением сходных по начертанию с цифрами 3, 0, 4. Таким образом, современная система обозначений позволяет по наименованию типа получить значительный объем информации о свойствах транзистора.

Условные обозначения, принятые в схемах Положения контроллера обозначают тонкими вертикальными линиями, над которыми стоят цифры. Условные обозначения, принятые в схемах мостовых кранов. Подвижные контакты—сегменты контроллера — изображаются в виде прямоугольников&nbsp.

Например: ГТ1. 01. А — германиевый биполярный маломощный низкочастотный транзистор, номер разработки 1, группа А; 2. A кремниевый биполярный маломощный СВЧ, номер разработки 9. А. В аппаратуре транзистор может быть использован в широком диапазоне напряжений и токов. Ограничением служат значения предельно допустимых режимов, превышение которых в условиях эксплуатации не допускается.

Даже кратковременное превышение предельно допустимых режимов, указанных в справочнике, может привести к пробою p- n- перехода, перегоранию внешних выводов и выходу прибора из строя. При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать правильный тепловой режим работы, чтобы температура корпуса транзистора не превышала допустимую. При повышении температуры корпуса может увеличиться температура p- n- перехода, в результате этого возникнет его тепловой пробой. Чтобы избежать такого явления необходимо улучшать отвод теплоты от корпуса транзистора. В качестве теплоотводов для мощных транзисторов могут использоваться специально сконструированные радиаторы, выполненные из материалов высокой теплопроводности, или конструктивные элементы шасси и корпусов приборов. Крепление мощных транзисторов к радиаторам должно обеспечивать их надежный тепловой контакт. Условные обозначения биполярных транзисторов, разработанных до 1.

Условные графические обозначения? Подскажите, пожалуйста, как на схеме выглядит контроллер?

Распространённые элементы. Скачать условные графические обозначения в векторе. Контроллеры Условные графические обозначения на принципиальных схемах располагают таким образом, чтобы они Таким образом, расположение условных графических обозначений элементов на принципиальной схеме.